Исследователи из Корейского института науки и технологии (KAIST) предложили новую методику изготовления резистивной памяти с произвольным доступом (RRAM). Разработанная технология позволяет формировать полнофункциональные микросхемы энергонезависимой памяти, обладающие способностью к деформации. Данные могут быть считаны и записаны в произвольном порядке с приемлемой скоростью. Отмечается, что специалистам KAIST удалось решить проблему интерференции между соседними ячейками памяти. Для